Descrizione
Transistor digitale doppio.
C(ISS): 13 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 5 V · Caratteristiche (transistor): NPN, PNP · Caratteristiche Transistor: Logic Level Gate · Case: TSSOP-6 · Fabbricante: ROHM Semiconductor · I(d): 100 mA · Metodo di montaggio: montaggio superficiale · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 150 mW · R(DS)(on): 8 Ω · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 10 mA · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 4 V · Sigla produttore (componenti): ROH · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +150 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 30 V · Tipo (tipo di produttore): UM6K1NTN · Tipo prodotto: MOSFET · U(DSS): 30 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 100 µA · U(GS)(th) max.: 1.5 V
