Descrizione
C(ISS): 2300 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-220-3 · Fabbricante: ON Semiconductor · I(d): 12.5 A · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 170 W · Q(G): 60 C · Q(G) Tensione di riferimento: 10 V · R(DS)(on): 430 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 6.25 A · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Serie (semiconduttori): QFET® · Sigla produttore (componenti): OnS · Temperatura d’esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +150 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 500 V · Tipo (tipo di produttore): FQP13N50 · Tipo prodotto: MOSFET · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 5 V
