Descrizione
C(ISS): 390 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale P · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: HEXDIP · I(d): 1 A · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 1.3 W · Q(G): 18 nC · Q(G) Tensione di riferimento: 10 V · R(DS)(on): 600 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 600 mA · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d’esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 100 V · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V
