Descrizione
C(ISS): 7330 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-220 · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 195 A · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 230 W · Q(G): 225 C · Q(G) Tensione di riferimento: 10 V · R(DS)(on): 2 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 100 A · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Serie (semiconduttori): HEXFET®, StrongIRFET™ · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d’esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 40 V · Tipo (tipo di produttore): IRFB7437PBF · Tipo prodotto: MOSFET · U(DSS): 40 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 150 µA · U(GS)(th) max.: 3.9 V
