Descrizione
Case (semiconduttori): DO-41 · Corrente inversa I (r): 1 µA · Metodo di montaggio: montaggio a foro passante · Modello (Diodi): Diodo Zener · Potenza (max) P(TOT): 2 W · Temperatura di esercizio (max.) (n.): 150 °C · Tensione inversa U (R): 34 V · Tensione zener: 75 V · Tensione zener (max.): 79 V · Tensione zener (min.): 70 V · Ulteriori dati tecnici: Tipo: Assiale AxialAlloggiamento: DO-41Tensione zener – Vzmin: 70,00 VVznom: 75,00 VVzmax: 79 VTest di resistenza: 10 mADissipazione di potenza – PTOT: 2.000 WStrato di sbarramento temperatura – Tjmax: 150 °CCorrente di sbarramento – IR: 1.000 µAVR: 34 VResistenza differenziale intrinseca – rzj: 30.0 ΩCapacità strato di sbarramento – Cj: PFVR: V
