Descrizione
C(ISS): 73 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Logic Level Gate · Case: SOT-23-3 · Fabbricante: ON Semiconductor · I(d): 170 mA · Metodo di montaggio: montaggio superficiale · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 360 mW · Q(G): 2.5 C · Q(G) Tensione di riferimento: 10 V · R(DS)(on): 6 Ω · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 170 mA · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Sigla produttore (componenti): OnS · Temperatura d’esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +150 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 100 V · Tipo (tipo di produttore): BSS123 · Tipo prodotto: MOSFET · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 1 mA · U(GS)(th) max.: 2 V
